Mạch công suất chạy mosfet

Mạch khuếch đại hiệu suất 100W bằng MOSFET đã được thiết kế để tạo nên công suất 100W để truyền tải khoảng tầm 8 Ohms. Mạch khuếch đại công suất được thiết kế theo phong cách ở đây có ưu điểm là kết quả hơn cùng với ít phát triển thành dạng chéo cánh và méo hài tổng hơn.

Bạn đang xem: Mạch công suất chạy mosfet

Contents

1 Sơ đồ dùng mạch khuếch đại hiệu suất 100W bằng MOSFET:1.1 xây cất mạch khuếch đại năng suất MOSFET:1.3 các ứng dụng của mạch khuếch đại công suất 100w MOSFET:
Nguyên lý hoạt động:

Mạch này hoạt động theo nguyên lý khuếch đại năng suất nhiều tầng có tiền khuếch đại, trình tinh chỉnh và điều khiển và khuếch đại hiệu suất sử dụng MOSFET. Giai đoạn tiền khuếch đại được thực hiện bằng phương pháp sử dụng bộ khuếch đại vi sai, tầng trình điều khiển là cỗ khuếch đại vi sai với download gương bây giờ và khuếch đại công suất được thực hiện bằng phương pháp sử dụng chuyển động MOSFET lớp AB. MOSFET hữu dụng thế hơn BJT là tất cả mạch truyền động 1-1 giản, ít bị mất bất biến nhiệt và bao gồm trở kháng nguồn vào cao. Một bộ tiền khuếch đại gồm 1 mạch khuếch tán vi sai nhị tầng được áp dụng để tạo ra tín hiệu khuếch đại không tồn tại tạp âm. Tầng thứ nhất của bộ tiền khuếch đại bao hàm bộ khuếch đại phối kết hợp bộ phát chính sách vi sai sử dụng bóng cung cấp dẫn PNP. Giai đoạn sản phẩm công nghệ hai gồm một bộ khuếch tán vi không đúng với sở hữu hoạt động, để tăng độ lợi điện áp. Mạch gương hiện tại thực sự bảo đảm dòng điện đầu ra không đổi bất cứ sự chuyển đổi của năng lượng điện áp dấu hiệu đầu vào. Tín hiệu khuếch tán này tiếp đến được đưa tới tầng khuếch đại kéo đẩy, tạo nên tín hiệu đầu ra năng suất cao.

Sơ vật mạch khuếch đại công suất 100W bằng MOSFET:

Các linh phụ kiện của mạch:R1, R4: 4k ohmsR2: 100 ohmsR3: 50k ohmsR5: 1k ohmsR6: 50k ohmsR7: 10k ohmsR8, R9: 100 ohmsR10, R13: 470 ohmsR11: 100 ohmsR12: 3k ohmsR14, R15: 0,33 ohmsC1: 10uFC2, C3: 18pFC4: 100nFQ1, Q2: bóng cung cấp dẫn BC556, PNPQ3, Q4: MJE340, bóng cung cấp dẫn NPNQ5, Q6: MJE350, bóng bán dẫn PNPQ7: n kênh E-MOSFET, IRF530Q8: kênh phường E-MOSFET, IRF9530V1, V2: +/- 50 V.Thiết kế mạch khuếch đại năng suất MOSFET:1 st Stage Differential Amplifier Thiết kế:Lựa lựa chọn điện trở phát: Để bao gồm bộ khuếch tán vi không nên hiệu quả, tỷ lệ loại bỏ chế độ chung bởi vì R3 / R2 chuyển ra cần cao hơn. Điều này đòi hỏi giá trị của R2 đề xuất thấp hơn những so cùng với R3. Ở đây chúng tôi lựa chọn một chiết áp 100 ohm là R2 với điện trở 50k là R3.Lựa lựa chọn điện trở thu: Đối với độ lợi chênh lệch khoảng tầm 50 cùng điện trở bộ phát khoảng 100 Ohms, giá trị của R1 và R4 được tính là khoảng 4k.Lựa chọn tụ năng lượng điện ghép nối: Ở đây chúng tôi lựa chọn một tụ năng lượng điện 10uF để ghép nối tín hiệu nguồn vào AC với đầu vào của Q1.2 nd Stage Differential Amplifier Thiết kế:Lựa chọn R11: Đối với tổng chiếc phát khoảng 0,5A, cực hiếm của năng lượng điện trở phát được lựa chọn là khoảng tầm 100 ohms.Lựa chọn R12: quý giá của phân tách áp R12 được xác định bởi điện áp ngưỡng Cổng của MOSFET và dòng tĩnh chạy qua bộ thu Q4, khoảng 50mA. Điều này đem lại cho R12 khoảng 3k. Tương tự, cực hiếm của R7 được xem như là khoảng 10k.

Xem thêm: Top 8+ Cuốn Sách Toàn Diện Về Khoa Học Số David A Phillips, Thay Đổi Cuộc Sống Với Nhân Số Học

Lựa chọn tải: Ở đây bộ khuếch đại vi không nên được liên kết với thiết lập hoạt động, là một mạch gương mẫu điện. Ở đây shop chúng tôi chọn bóng phân phối dẫn PNP MJE350 với điện trở phạt 100 ôm từng bóng. Các năng lượng điện trở phân phát được lựa chọn để sút điện áp khoảng 100mV trên bọn chúng để bảo vệ sự cân xứng tốt của các bóng bán dẫn.Thiết kế tiến trình đầu ra của cục khuếch đại công suất:

Ở đây shop chúng tôi chọn MOSFET IRF530 kênh N với MOSFET IRF9530 kênh p làm bộ khuếch đại công suất. Đối với năng suất 100w và tải 8 ôm, điện áp áp ra output yêu ước là khoảng tầm 40V và loại điện cổng đầu ra là khoảng 5A. Điều này mang đến giá trị của điện trở nguồn vào lúc 0,33 ohms và cái điện vì mỗi MOSFET vẽ vào khoảng 1,6A (điện áp cổng output / (pi nhân với năng lượng điện trở tải)).

Hoạt động của mạch khuếch đại công suất 100W MOSFET:

Các bóng cung cấp dẫn PNP tạo thành thành mạch khuếch đại vi sai trong đó một trong những bóng buôn bán dẫn nhận bộc lộ AC nguồn vào và bóng chào bán dẫn còn sót lại nhận biểu lộ đầu ra trải qua phản hồi. Tín hiệu AC được ghép với gốc của Q1 trải qua tụ ghép và biểu lộ phản hồi được mang tới gốc của Q2 trải qua R5 với R6. Đầu ra của bộ khuếch đại được thiết lập bằng phương pháp điều chỉnh phân tách áp. Đầu ra từ cỗ khuếch đại vi sai giai đoạn trước tiên được đưa tới đầu vào của bộ khuếch đại vi sai tiến độ hai. Khi điện áp đầu vào to hơn điện áp đánh giá (trong trường hợp của cục khuếch đại vi sai đồ vật nhất), thì điện áp đầu vào các bóng cung cấp dẫn q3 và quận 4 của cỗ khuếch đại vi sai sản phẩm hai bên cạnh đó khác nhau. Các bóng buôn bán dẫn q5 và q6 tạo thành mạch gương hiện nay tại.

Điều này đạt được là do khi dòng thu của quận 3 tăng, loại góp của quận 4 giảm để gia hạn dòng năng lượng điện không đổi chạy qua điểm chung của những cực vạc của quận 3 và Q4.

Ngoài ra mạch gương hiện nay tại tạo thành một chiếc điện đầu ra bằng mẫu điện góp của Q3. Chiết áp R12 bảo đảm áp dụng xu thế DC thích hợp cho mỗi MOSFET. Vì nhị MOSFET bổ sung cho nhau, khi 1 điện áp dương được để vào cổng Q7, nó đang dẫn. Tương tự đối với điện áp ngưỡng âm, q.8 dẫn. Các điện trở cổng được sử dụng để ngăn cổng output MOSFET dao động.

Đầu vào của mạch được cung ứng bởi một năng lượng điện áp đầu vào xoay chiều 1khz của 4Vp-p. Máy hiện sóng được kết nối làm thế nào để cho kênh A được liên kết với đầu vào và kênh B được liên kết với đầu ra. Công suất ở sở hữu được quan tiền sát bằng cách kết nối watt kế với tải.

Các áp dụng của mạch khuếch đại năng suất 100w MOSFET:Nó rất có thể được áp dụng để điều khiển tải âm thanh như loa, như một bộ khuếch đại âm thanh.Nó rất có thể được sử dụng để tinh chỉnh và điều khiển tải RF như ăng ten năng suất cao.Nó có thể được thực hiện để triển khai hệ thống loa phân tánMạch này hoàn toàn có thể được sử dụng trong số thiết bị năng lượng điện tử như tivi, lắp thêm tính, trang bị nghe nhạc mp3, v.v.Hạn chế của mạch này:MOSFET dễ dẫn đến phóng năng lượng điện hơn.MOSFET lấy dòng điện tương đối cao từ nguồn cung cấp cấp, hoàn toàn có thể làm lỗi toàn mạch, trừ khi áp dụng cầu chì an toàn.Mạch này dễ bị xấp xỉ tần số cao.Mạch này là mạch lý thuyết và dành cho mục đích giáo dục.